교수소개

조준형 Professor

Lab 전자구조이론연구실

연락처 : 02-2220-0915

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 현재 한양대학교 자연대학 물리학과의 부교수로 재직 중인 조준형 교수는 한양대학교 물리학과를 졸업하고 서울대학교 물리학과에서 석사학위, 포항공과대학교 물리학과에서 물리학 박사학위를 취득하였다.


주요 논문으로는 실리콘 표면에서 1차원 분자선의 자기 조립 메커니즘 및 전기적 성질에 관한 연구로 2006년도에는 화학 분야 최고 저널인 Journal of ther American Chemical Society 에 2편의 논문을 게재하였고, 물리학 분야 최고 저널인 Physical Review Letters 에 2007년과 2009년 각각 한 편의 논문을 발표하였다. 위 4편의 논문에서 실리콘 표면에서 이종분자선의 자기조립법, 분자선의 Peierl instability, 안정성이 강화된 1차원 분자선의 자기조립법과 방향성을 가지는 1차원 유기 분자선의 새로운 형성 메커니즘을 제일원리 전자구조 계산 방법을 이용하여 규명하였다.

조준형 교수는 NanoKorea 2009에서 조직위원장상을 수상하였고, 한국물리학회 Journal of Korean Physical Society 편집위원을 역임하였다.

학력

  • 1983, 한양대학교, 물리학학사
  • 1986, 서울대학교, 물리학석사
  • 1994, 포항공과대학교, 물리학박사

경력

  • 1995-1996, 독일 막스프랑크 프리츠하버 연구소, 연구원
  • 1997-1998, 미국 오크릿지국립연구소, 연구원
  • 1998-1999, 미국 국립재생에너지연구소, 연구원
  • 2000-2003, 미국 텍사스대학교, 물리학과 연구원
  • 2003-현재, 한양대학교, 물리학과 부교수

연구관심분야

  • 나노과학분야: 분자선 및 나노필름, 나노구조물에서의 양자효과, 반도체 표면에서의 분자 반응 및 흡착, 제일원리전자구조 및 반델발스 에너지 계산 방법

수상경력

  • Nano Korea 2009, 조직위원장상, 2009

학회활동

  • 한국 물리학회: 회원, 2003-2010.
  • 한국 물리학회: 편집위원, 2006-2009.

위치

  • 조준형 교수님 (411호) : 2220-0915
  • 대학원생 연구실 (409호)

연구실 개괄적 소개

  • 본 연구실은 양자 역학적인 계산 방법을 통하여 금속, 반도체, 절연체 등의 다양한 물질의 표면 및 표면에 형성된 나노 구조물들의 전자 구조를 연구하여 차세대 신기술의 기반이 될 신기능성 물질의 물성을 예측한다.

연구분야

  • 기본 입자 및 강입자 물리, 천체물리현상(Fundamental particles, Hadrons and Astrophysics)

최근 연구 분야

구성원

  • 교수 : 조준형 교수
  • 대학원생 : 김현중(박사과정), 정현(석사과정), 김선우(통합과정), 이세호(석사과정)

전망 및 진로

  • 국내외 대학 및 정부 출연 연구소 연구원, 기업 취직

전망 및 진로

  • H. Zhang, F. Ming, H.-J. Kim, H. Zhu, Q. Zhang, H. H. Weitering, X. Xiao, C. Zeng*, J.-H. Cho*, and Z. Zhang, Phys. Rev. Lett. 113, 196802 (2014) “Stabilization and manipulation of an electronically phase-separated ground state in indium atomic wires on silicon”
  • J.-H. Lee, H.-J. Kim, and J.-H. Cho, Phys. Rev. Lett. 111, 106403 (2013). “Ferrimagnetic Slater Insulator Phase of the Sn/Ge(111) Surface”
  • H.-J. Kim and J.-H. Cho, Phys. Rev. Lett. 110, 116801 (2013). “Driving Force of Phase Transit-ion in Indium Nanowires on Si(111)”
  • H. Zhang, J.-H. Choi, Y. Xu, X. Wang, X. Zhai, B. Wang, C. Zeng*, J.-H. Cho*, Z. Zhang, J. G. Hou, Phys. Rev. Lett. 106, 26801 (2011) “Atomic structure, energetics, and dynamics of topological soliton in indium chains on Si(111) surfaces”
  • J.-H Choi, J.-H. Cho, Phys. Rev. Lett. 102, 166102 (2009) “Growth Mechanism of a 1D Molecular Line across the Dimer Rows on H-Terminated Si(001)”
  • J.-H Choi, J.-H. Cho, Phys. Rev. Lett. 98, 246101 (2007) “Enhanced Stability of 1D Molecular Lines on the H-Terminated Si(001) Surface”
  • J.-H Choi, J.-H. Cho, J. Am. Chem. Soc. 128, 11340 (2006) “Peierls instability in one-dimensional borine wire on Si(001)”
  • J.-H Choi, J.-H. Cho, J. Am. Chem. Soc. 128, 3890 (2006) “Theoretical prediction of heterogeneous molecular wires on the Si(001) surface”
  • K. S. Kim, S. B. Suh, J. C. Kim, B. H. Hong, E. C. Lee, S. Yun, P. Tarakeshwar, J. Y. Lee, J.-H. Cho, J. Am. Chem. Soc. 124, 14268 (2002) “Assembling phenomena of calix[4]hydroquinone nanotube bundles by one-dimensional short hydrogen bonding and displaced p-p stacking”
  • J.-H. Cho, S. B. Zhang, and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 84, 3654 (2000) “Indium-indium pair correlation and surface segregation in InGaAs alloys”
  • J.-H. Cho, S. B. Zhang, Phys. Rev. Lett. 82, 4564 (1999) “Comment on "Identification of the Si 2p surface core level shifts on the Sb/Si(001)-(2x1) interface”
  • J.-H. Cho, Q. Niu, Z. Y. Zhang, Phys. Rev. Lett. 80, 3582 (1998) “Oscillatory nonmetal-metal transitions of ultrathin Sb overlayers on a GaAs(110) substrate”
  • K. Pohl, J.-H. Cho, K. Terakura, M. Scheffler, E. W. Plummer, Phys. Rev. Lett. 80, 2853 (1998) “Anomalously large thermal expansion at the (001) surface of Beryllium without interlayer anharmonicity”
  • J.-H. Cho, M. Scheffler, Phys. Rev. Lett. 78, 1299 (1997) “Surface relaxation and ferromagnetism of Rh(001)”