DRAM 소자 기본 원리와 process integration 소개 Ⅱ
일 시 : 2024년 04월 17일 수요일 17:00
연 사 : 김 수 길 박사 (SK하이닉스)
장 소 : 자연과학관 B117호
HOST : 홍 진 표 교수님
초 록
지난 강의에서는 DRAM의 동작 원리를 소개하였고, 이번 강의에서는 이러한 DRAM 소자 동작에 필요한 component를 구성하는 방법, 즉 DRAM process integration 과정을 소개한다. DRAM은 1T-1C로 단위 소자가 구성되어 Tr로만 구성된 logic 및 floating gate 또는 charge trap 방식의 NAND와는 cell scheme 및 array architecture에서 매우 다른 형태를 갖는다. 고용량화를 위한 DRAM 소자 제작 과정의 소개를 통해 메모리 반도체 공정 과정 뿐만 아니라 첨단 공정 기술을 이해할 수 있는 기회를 제공하고자 한다.